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超结功率MOSFET
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参数:N 沟道,500V~900V/53A/62m
特点:具有低导通/开关损耗、高抗雷击浪涌能力、低电磁干扰、高温稳定性。
应用:各类大功率电源、直流充电桩、汽车OBC等产品。
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深圳 — 华虹易达科技有限公司
联系人:Mr.Hou
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邮箱:easonhou@easytec.cc
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