屏蔽栅功率MOSFET参数：N沟道和P沟道，25V~250V/360A/0.72mΩ特点：极低Rdson/Qg/Qgd/FOM、高温下电流能力更强、快速柔软恢复体二极管特性、低Crss/Ciss,增强抗EMI能力。应用:交流/直流电源的同步整流、直流电机驱动、电池充电器/电池保护电路、逆变器、隔离DCDC转换器、UPS电源。